利用界面邻近效应调控铱膜的临界温度 $T_c$
仪器与探测器
2017-11-13 v1 高能物理 - 实验
核实验
摘要
使用超导转变边传感器的高精度量热学，根据应用需要采用具有合适的超导膜。为推进高精度宏量热学，我们需要易于制备的低膜。本文通过Ir/Pt双层膜以及Au/Ir/Au三层膜，展示了利用邻近效应抑制超导铱的一种简单有效方法。尽管过去通过在铱沉积时加热衬底制备的Ir/Au膜已用于超导传感器，但我们给出了在室温下制备的Au/Ir/Au三层膜和Ir/Pt双层膜中铱被抑制约20-100 mK的结果。对所制备Ir/Pt双层膜与Au/Ir/Au三层膜相对阻抗的测量显示，Ir/Pt情况下数值约高10倍。这些新膜可在需要低膜以最小化热容并最大化能量分辨率、同时保持高成品率制备方法的可扩展超导转变边传感器的发展中发挥关键作用。
引用
@article{arxiv.1711.03648,
title = {Controlling $T_c$ of Iridium films using interfacial proximity effects},
author = {R. Hennings-Yeomans and C. L. Chang and J. Ding and A. Drobizhev and B. K. Fujikawa and S. Han and G. Karapetrov and Yu. G. Kolomensky and V. Novosad and T. O'Donnell and J. L. Ouellet and J. Pearson and T. Polakovic and D. Reggio and B. Schmidt and B. Sheff and R. J. Smith and G. Wang and B. Welliver and V. G. Yefremenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.03648},
year = {2017}
}
备注
5 journal pages, 4 figures