离散晶格上 kπ-斯格明子的可控产生与稳定性
介观与纳米尺度物理
2018-06-06 v1
摘要
我们利用 Landau-Lifshitz-Gilbert 方程和测地 nudged elastic band 方法确定了离散晶格上 kπ-斯格明子的大小和激活能。所采用的原子材料参数基于斯格明子材料体系 Pd/Fe/Ir(111)。我们发现 2π-斯格明子和 3π-斯格明子坍缩的临界磁场彼此非常接近，且明显低于 1π-斯格明子的临界场。保护结构的激活能并不随 k 增大而严格减小，因为根据所加磁场的不同，3π-斯格明子的激活能可能大于 2π-斯格明子。此外，我们提出了一种通过在有限尺寸样品中反转磁场方向来切换斯格明子阶数 k 的方法。
引用
@article{arxiv.1802.09257,
title = {Controlled creation and stability of k{\pi}-skyrmions on a discrete lattice},
author = {Julian Hagemeister and Ansgar Siemens and Levente Rózsa and Elena Y. Vedmedenko and Roland Wiesendanger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.09257},
year = {2018}
}
备注
Version 1