通过载流子掺杂控制La(Mn,Zn)AsO合金中的自旋
材料科学
2013-08-05 v1
摘要
无需磁场的自旋控制是开发自旋电子器件的挑战之一。为了解决这个问题，我们从两种实验合成的稀土元素过渡金属砷氧化物LaMnAsO和LaZnAsO中提出了一种新型假设的LaMn0.5Zn0.5AsO合金。基于强关联修正的第一性原理计算，我们发现LaMn0.5Zn0.5AsO合金在基态是反铁磁半导体，而在铁磁态是双极磁性半导体。在LaMn0.5Zn0.5AsO合金中，电子和空穴掺杂都诱导了从反铁磁到铁磁以及从半导体到半金属的转变。特别地，自旋极化方向取决于掺杂载流子的类型。由于载流子掺杂可以通过施加栅极电压在实验中轻松实现，LaMn0.5Zn0.5AsO合金代表了一种有前景的自旋电子材料，可以用电场产生和控制自旋极化载流子。
引用
@article{arxiv.1308.0439,
title = {Control of Spin in La(Mn,Zn)AsO Alloy by Carrier Doping},
author = {Xingxing Li and Xiaojun Wu and Jinlong Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.0439},
year = {2013}
}
备注
16 pages, 4 figures