高 $nl$ 壳层对电子碰撞电离过程的贡献

研究了激发至高 $nl$ 壳层并随后自电离对电子碰撞电离截面的贡献。我们对该过程进行了相对论子组态平均计算和详细的能级间跃迁计算。给出了 W27+ 离子的电离截面，以说明高壳层 ($n \geq 9$) 和轨道 ($l \geq 4$) 在激发-自电离过程中的巨大影响。所得结果表明，与激发至较低壳层 ($n \leq 8$) 相比，激发至高壳层 ($n \geq 9$) 使间接电离过程的截面增加了一倍。与其他轨道量子数 $l$ 相比，激发至轨道量子数 $l = 4$ 的壳层贡献最大。在能级间跃迁计算中，辐射阻尼使间接过程的截面降低了约一半。确定的数据表明，激发-自电离过程对总电离截面的贡献约为 40%。