高能 O$^+$($^4S,^2D,^2P$)-N$_2$ 碰撞的发射截面

我们报道了 O$^{+}-$N$_{2}$ 过程激发函数的测量结果，入射束为处于基态 O$^{+}(^{4}S)$ 和亚稳态 O$^{+}(^{2}D)$ 与 O$^{+}(^{2}P)$ 的 $1-10$ keV O$^{+}$。测量在 0.001 eV 的足够高能量分辨率下进行，从而能够区分激发通道。由亚稳态 O$^{+}(^{2}P)$ 入射离子诱导的激发截面远大于基态 O$^{+}(^{4}S)$ 的激发截面。测量了 N$_{2}^{+}$ 离子 (0,0)、(0,1) 和 (1,2) 带系激发截面，并确定这些谱带的强度比为 $10:3:1$。结果表明，在解离电荷交换过程中，N$^{+^{\ast }}$ 离子激发的截面随入射离子能量的增加而增加。首次测量了 O$^{+}-$N$_{2}$ 碰撞中 N$_{2}^{+}$ 第一负系 (0,0) 带 $\lambda=391.4$ nm 激发截面的能量依赖关系及辐射的极化度。揭示了离子亚稳态混合对极化度的影响。论证了对于 O$^{+}-$N$_{2}$ 碰撞系统，亚稳态 O$^{+}$($^{2}P$) 离子的极化度低于处于基态 O$^{+}$($^{4}S$) 态的极化度，且受激发分子离子的极化度符号不发生改变。