基于密度泛函计算的电荷转移与合金化核心能级位移之间的关系
材料科学
2009-10-31 v1
摘要
合金化核心能级位移 (CLBE) 位移的测量已被用于为基本的电荷转移概念提供精确含义。本文采用初步密度泛函计算研究 MgAu 合金化化合物，以探讨将 CLBE 位移与电荷转移相联系的模型。计算得到的 CLBE 位移与实验结果良好吻合，允许对初始态贡献和屏蔽贡献进行明确分离。有趣的是，屏蔽贡献显著且在任何合理描述中都不能被忽略。将计算结果与简单模型的预测进行比较显示，这些模型不足以描述现实情况。值得一提的是，密度泛函计算的准确性表明，实验与此类计算相结合是探讨未知体系的强大工具。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0001099,
title = {Connection between charge transfer and alloying core-level shifts based on density-functional calculations},
author = {M. Methfessel and V. Fiorentini and S. Oppo},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0001099},
year = {2009}
}
备注
RevTeX 10 pages incl 8 figures