高温下晶格玻色子的电导率

量子模拟正迅速成为研究关联晶格模型中粒子输运的不可或缺工具。输运研究的核心主题之一是坏金属行为，其特征是直流电阻率与温度成线性关系。在费米子哈伯德模型中，光导率已被广泛研究，最近的光学晶格实验展示了与理论定性一致的坏金属行为。关于玻色子哈伯德模型中的输运则知之甚少。我们研究了玻色-哈伯德模型中的电导率，重点关注强相互作用和高温区域。我们使用小晶格尺寸的数值精确计算。在弱隧穿时，我们发现光导率中存在多个峰值，这些峰值源于多体谱中的哈伯德带。随着隧穿率增强，这一特征逐渐消失。在高温下，我们识别出预期的T线性电阻率区域。当相互作用非常强时，电导率中的领先逆温度系数与隧穿振幅成正比。随着隧穿变强，这种依赖关系变为二次形式。在非常强的耦合和半填充下，我们在较低温度下识别出一个单独的线性电阻率区域，对应于硬核玻色子区域。此外，我们意外地观察到，在半填充下，在相图的很大一部分中，电导率是耦合常数的增函数，直到饱和到硬核玻色子结果。我们基于多体能谱的分析和系统各个本征态对电导率的贡献来解释这一特征。