对称破缺相中的电导率：自旋less费米子与$1/d$修正

本文研究了对称破缺相中强关联电子的动态电导率$\sigma(\omega)$。所考虑的模型由简单立方晶格上具有排斥相互作用的自旋less费米子组成。所研究的对称破缺相是波矢为$Q=(\pi,\pi,\pi)^\dagger$的电荷密度波（CDW），发生在半填充时。计算基于高维方法，即使用逆维度$1/d$的展开。通过包含$1/d$的线性项和真实的有限维态密度来考虑有限维度。特别注意在Baym/Kadanoff意义上建立无矛盾的守恒近似。所得Bethe-Salpeter方程在非对称破缺相和对称破缺相（AB-CDW）中求解动态电导率。直流电导率在CDW中急剧降低。然而，由于发散迁移率和消失态密度的微妙抵消，它在$T \to 0$极限下并不消失。在动态电导率$\sigma(\omega)$中，对称破缺引起的能隙清晰可辨。此外，$1/d$阶的顶点修正导致位于能隙内的激子共振。