硅环形腔中参量与自由载流子振荡的条件
光学
2018-11-19 v2
摘要
我们建模了具有双光子吸收的环形腔中的光学参量振荡，聚焦于 1.55m 处的硅。若自由载流子吸收可被缓解，则振荡是可能的；这可利用反向偏置 p-i-n 结中的载流子扫出以降低载流子寿命来实现。通过改变泵浦功率、失谐和反向偏置电压，可在具有正常与反常色散的腔中在包括 1.55m 的宽波长范围内产生频率梳。此外，当载流子寿命足够长时，自由载流子自脉冲不稳定性导致丰富的动力学行为。
引用
@article{arxiv.1802.00071,
title = {Conditions for Parametric and Free-Carrier Oscillation in Silicon Ring Cavities},
author = {Ryan Hamerly and Dodd Gray and Christopher Rogers and Kambiz Jamshidi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.00071},
year = {2018}
}
备注
7 pages, 12 figures. Presented at 2017 International Topical Meeting on Microwave Photonics. Submitted to Journal of Lightwave Technology