化合物可调嵌入势方法及其在fersmite晶体中的应用

提出了化合物可调嵌入势（CTEP）方法。本文中某化合物的一个片段（“主簇”）由边界阴离子限定，使得最近的环境原子为阳离子。CTEP方法基于将嵌入势构造为主簇最近环境中阳离子的短程“无电子”球形“可调”赝势的线性组合，而长程CTEP部分由位于环境阳离子和阴离子上的优化分数点电荷的库仑势组成。将CTEP方法初步应用于fersmite晶体CaNb$_2$O$_6$，并实现了片段内电子密度和原子间距离与原周期晶体计算结果的显著一致。以铌的X射线发射谱$K_{{\alpha}_{1,2}}\$和$K_{{\beta}_{1,2}}\$线的化学位移为例，考虑了对于$f$-和$d$-元素（fersmite中的Nb）化合物极为重要的“化合物中的原子”特征。讨论了该方法在研究含$f$-和重$d$-元素、具有相对论效应、扩展基组和破缺晶体对称性的点缺陷的多种性质方面极具前景的潜力。