关于"紧束缚晶格中通过隧穿的非指数衰变与光学 Zeno 效应"的评论

S. Longhi [1] 研究了一个不稳定态与紧束缚晶格耦合的存活概率 P(t)，得到了描述非指数衰变的精确解析解。当第一个耦合常数小于其他耦合常数时，他证明 P(t) 可以自然分解为两项：一项是与 Gamow 方法一致的指数衰变，另一项是对该衰变的修正。本评论的第一个目的是表明，对系统施加的条件——第一个格点的能级被设定在能带中心——限制了结果的普遍性。基于系统谱性质的分解方法消除了这一限制 [2]。本评论的另一个要点是，在弱耦合极限下，作者声称当 t < t* 时发生 Zeno 效应，其中 t* 是方程 g_eff(t*) = g₀ 的最小根；在强耦合极限下，当 t 接近 t** 时发生反 Zeno 效应，其中 t** 是 g_eff 的第一个峰值。通过使用谱表述，我们证明反 Zeno 效应不仅需要强耦合极限，还需要选择共振能量和宽度使得相消干涉能够发生。我们展示了这种干涉，并给出了 t* 和 t** 的解析表达式及其物理诠释。