用于抑制电磁干扰的 IGBT 近距离驱动
系统与控制
2023-07-28 v1 系统与控制
摘要
IGBT 和 MOSFET 等功率晶体管在开关过程中因快速的电压/电流变化而成为电磁干扰(EMI)源。增加开关时间可减少 EMI 产生,但会增加损耗。文献中已提出若干降低 EMI 的驱动方法。本工作提出一种基于栅极电流波形控制的驱动方法,该方法借助市场上新型驱动器得以实现。其原理基于晶体管栅源电压随注入栅极电荷的变化关系。为验证该方法性能,采用 SPICE 仿真并结合一项优值指标进行评估,使其能与称为 CATS(Commande autour de la Tension de Seuil,阈值电压附近驱动)的参考方法进行定量比较。
引用
@article{arxiv.2307.14858,
title = {Commande rapproch\'ee d'un IGBT pour l'att\'enuation des perturbations \'electromagn\'etiques},
author = {Daniel Sting Martinez-Padron and Nicolas Patin and Eric Monmasson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.14858},
year = {2023}
}
备注
in French language, SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2023), 5 - 7 JUILLET 2023, LILLE, FRANCE