多光子分子激发的相干最优控制

我们给出了由最优设计电场诱导的分子多光子激发过程的框架。分子初始制备于其两个本征函数的相干叠加态。已表明这两个叠加本征函数的相对相位控制着触发分子内多光子激发的最优设计电场。这通过在实验室中适当调节分子相位、从而选择系统到达靶的最有利干涉路径，带来了设计最优场的灵活性。我们遵循量子流体动力学表述来设计电场，并以HBr分子为例应用。