低维导体的经典性质：巨电容与非欧姆电势降
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
在低维导体中，当电流通过非均匀导体时其周围产生的电场不像在三维导体中那样被屏蔽。因此，电场依赖于电导率sigma(x)的全局分布而非其局部值，sigma(x)的非均匀性产生了在相对较低的omega下表现出频率依赖性的巨电容C(omega)，并且在sigma(x)非均匀性周围的广阔区域中形成电场。本文提出了针对二维导体的这些现象的理论。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0208016,
title = {Classical properties of low-dimensional conductors: Giant capacitance and non-Ohmic potential drop},
author = {Boris Korenblum and Emmanuel I. Rashba},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0208016},
year = {2009}
}
备注
5 pages, two-column REVTeX, to be published in Physical Review Letters