包层效应对模式索引调谐腔体的影响

光子集成电路需要在其上方覆盖包层材料，以防止外部与光子电路元件及电磁模式发生相互作用，从而避免潜在的损伤。Mohit 等人提出了通过模式索引工程方法对腔体共振进行选择性调谐的方案。然而，他们的工作未考虑在调谐腔体顶部添加包层材料。本研究旨在通过解析分析和数值实验，探讨在调谐腔体上沉积包层材料对其频率分布所产生的影响。作者识别出关键的计算参数，讨论了实现高分辨率调谐和大调谐范围的最佳条件。