基于碲的场效应晶体管中手性诱导的本征电荷整流
介观与纳米尺度物理
2022-12-16 v1 材料科学
摘要
我们报道了在手性半导体 Te 中，无 p-n 结、由栅极诱导且在磁场 B 下增强的本征电荷整流现象。当栅极将化学势移至 Te 的价带顶时，电荷整流效率增强百倍。通过结合模型计算，我们将该电荷整流归因于 B 诱导的手性能带结构的不对称性。我们还表明，受此不对称性影响的载流子密度因价带顶附近的鞍点结构而增大，这进一步增强了栅极可调的电荷整流及其改善的开关特性与热鲁棒性。
引用
@article{arxiv.2210.16154,
title = {Chirality-induced intrinsic charge rectification in a tellurium-based field-effect transistor},
author = {Daichi Hirobe and Yoji Nabei and Hiroshi M. Yamamoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.16154},
year = {2022}
}
备注
accepted for publication in Phys. Rev. B. 6 pages, 4 figures