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单层石墨烯中的手征对称性破缺与量子霍尔效应

介观与纳米尺度物理 2014-11-27 v2 强关联电子 高能物理 - 理论

摘要

单层石墨烯在强磁场下表现出填充因子 ν=0\nu = 0ν=±1\nu = \pm 1 处的量子霍尔态,这些态无法用非相互作用电子图像来解释。我们提出这些态源于相互作用诱导的手征对称性破缺序。我们论证指出,当化学势位于狄拉克点时,弱的在位排斥支持一种易面反铁磁态,该态同时产生平行于磁场方向的铁磁性;而对于 ν=1|\nu|=1,易轴反铁磁序与电荷密度波序共存。我们对 ν=0\nu = 0ν=1|\nu| = 1 态的激活能隙随磁场的变化进行了自洽计算,结果与最近的实验结果吻合极好。本文还强调了我们的研究对单层石墨烯中分数量子霍尔态的启示。

关键词

引用

@article{arxiv.1406.5184,
  title  = {Chiral Symmetry Breaking and the Quantum Hall Effect in Monolayer Graphene},
  author = {Bitan Roy and Malcolm P. Kennett and S. Das Sarma},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1406.5184},
  year   = {2014}
}

备注

5 pages, 3 figures + Supplementary Materials (3.5 pages, 2 figures): Published version, typos corrected, new references