FeGe 薄膜中的手性磁激发

尽管手性磁性材料已成为未来自旋电子存储器件中的潜在组成部分，但对可规模化生长的薄膜的磁性质进行全面研究的却很少。我们展示了 B20 FeGe 薄膜的生长、系统的物理和磁性表征以及微波吸收谱。我们还进行了微磁学模拟和解析理论分析，以理解该材料的动态磁行为。我们在螺旋磁态和场极化磁态中都发现了磁共振特征，这些特征可由微磁学模拟和解析计算很好地解释。特别地，我们展示了沿 FeGe 薄膜厚度方向自旋波的共振增强，该自旋波的波矢与螺旋矢相匹配。利用我们的解析模型，我们还描述了螺旋磁态的共振频率，该频率仅取决于其解旋场。我们的结果为理解和操控 FeGe 薄膜手性磁体中接近室温的高频自旋波铺平了道路。