用于微波自旋电子学的磁致伸缩薄膜
材料科学
2013-02-21 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
由铁磁相与压电相耦合而成的多铁复合材料，在推动信息与通信技术器件向更快、更小、更节能方向发展方面具有重要意义。此类器件需要具有大磁致伸缩和窄微波共振线宽的铁磁薄膜。由于薄膜中的结构缺陷和界面效应，与块体材料相比，这两种性质通常会退化。我们报道了 Galfenol (Fe81Ga19) 单晶薄膜的开发，其磁致伸缩与块体材料已报道的最佳值相当。这使得磁各向异性和微波共振频率可通过电压诱导应变进行调控，其磁电响应比以往报道的任何 Galfenol 薄膜都更大，线宽更窄。这些性质的综合使该单晶薄膜成为开发用于磁信息存储、处理和微波通信的可调谐器件的优秀候选者。
引用
@article{arxiv.1302.5097,
title = {Magnetostrictive thin films for microwave spintronics},
author = {D. E. Parkes and L. R. Shelford and P. Wadley and V. Holý and M. Wang and A. T. Hindmarch and G. van der Laan and R. P. Campion and K. W. Edmonds and S. A. Cavill and A. W. Rushforth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.5097},
year = {2013}
}