反铁磁体中的陈绝缘体相

长期寻求的展现量子反常霍尔效应的陈绝缘体通常被认为仅发生于铁磁体中。本文从理论上预言了陈绝缘体在反铁磁体中的可实现性，其中磁亚晶格由强制零净磁矩的对称算符相连。我们的对称性分析给出了允许反铁磁(AFM)陈绝缘体的完备磁层点群，并揭示需要面内磁构型。继以第一性原理计算，此类设计原则自然导出两类材料候选者，分别以具有共线和非共线AFM序的单层RbCr4S8和双层Mn3Sn为例。我们进一步表明陈数可通过轻微铁磁倾斜作为有效支点进行调控。我们的工作阐明了AFM系统中陈绝缘体相的本质，为寻找和设计兼具非耗散输运与AFM序可观优势的量子反常霍尔绝缘体开辟了新途径。