为锰基陶瓷提出的化学电容

几种化合物（例如 (BiNa)(MnNb)O_{3}、(BiPb)(MnNb)O_{3} 和 BiMnO_{3}）测得的有效介电常数 \varepsilon_{eff} 值，在低温范围（100-300 K）约为 10-100，而在高温范围（例如 500-800 K）则增至高达 10^5 的数值。此类特征表明存在热激活的空间载流子，其影响了测得的电容。几种锰基化合物测得的高值有效介电常数可归因于用化学势 \mu 表示的化学电容 C_{\mu}=e^2\partial N_{i}/\partial \mu_{i}。当考虑密度为 n_{C} = N_{C} \exp(\mu_{n}- E_{C})/k_{B}T 的传导电子时，化学电容 C_{\mu}^{(cb)} = e^2 n_{C}/k_{B}T 依赖于温度。我们在化学电容模型的框架下讨论了在高温范围内对锰基化合物获得的实验结果。然而，针对 BiMnO_{3} 分析了测得电容对几何因素的依赖性，表明非均匀静电电容器模型在 300-500 K 范围内是有效的。