追寻杀手声子模以理性设计低无序、高迁移率分子半导体
材料科学
2019-09-13 v2
摘要
分子振动在弱范德瓦尔斯键合有机半导体的电荷传输性质中起着关键作用。为了理解在部分被广泛研究的高迁移率分子半导体中，哪些特定的声子模对电子-声子耦合及随之产生的热能量无序贡献最强，我们将振动模与相应电子-声子耦合常数的最先进量子力学模拟，与利用非弹性中子散射和太赫兹时域光谱对低频振动的实验测量相结合。以此方式，长轴滑动运动被识别为一种杀手声子模，其在某些分子中对总热无序的贡献超过 80%。基于这一认识，我们提出了一种合理化不同材料间迁移率趋势并推导新型高迁移率分子半导体重要分子设计指南的方法。
引用
@article{arxiv.1903.10852,
title = {Chasing the killer phonon mode for the rational design of low disorder, high mobility molecular semiconductors},
author = {Guillaume Schweicher and Gabriele D'Avino and Michael T. Ruggiero and David J. Harkin and Katharina Broch and Deepak Venkateshvaran and Guoming Liu and Audrey Richard and Christian Ruzie and Jeff Armstrong and Alan R. Kennedy and Kenneth Shankland and Kazuo Takimiya and Yves H. Geerts and J. Axel Zeitler and Simone Fratini and Henning Sirringhaus},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.10852},
year = {2019}
}
备注
10 pages, 5 figures