拓扑绝缘体表面的带电斯格明子
介观与纳米尺度物理
2016-01-28 v2
摘要
我们考虑绝缘薄膜中的磁性斯格明子与三维拓扑绝缘体 (TI) 的狄拉克表面态之间通过近邻效应产生的相互作用。斯格明子的磁织构可导致狄拉克态在斯格明子半径处被束缚，该处面外磁化强度为零。这种束缚可导致斯格明子织构带电。束缚态的存在在外磁场中是稳健的，而外磁场对于稳定斯格明子是必需的。预计对于相关的实验参数，斯格明子将拥有少数几个可通过外磁场调控的束缚态。我们认为，这些带电斯格明子可直接由电场操控，其斯格明子迁移率与斯格明子半径处的束缚态数量成正比。将斯格明子薄膜与 TI 表面耦合，可提供一种更直接且高效的方式来控制绝缘材料中的斯格明子运动。这为斯格明子操控的研究提供了一个新维度。
引用
@article{arxiv.1412.0772,
title = {Charged skyrmions on the surface of a topological insulator},
author = {Hilary M. Hurst and Dmitry K. Efimkin and Jiadong Zang and Victor Galitski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.0772},
year = {2016}
}
备注
additional references, minor corrections