三维拓扑绝缘体表面的斯格明子诱导束缚态
介观与纳米尺度物理
2016-06-22 v2
摘要
为了研究由于斯格明子存在而导致电子束缚的可能性，研究了三维拓扑绝缘体表面与斯格明子/反斯格明子结构之间的相互作用。同时考虑了刺猬型(Néel)和涡旋型(Bloch)斯格明子。对于刺猬型斯格明子，面内分量不可忽略，其与拓扑绝缘体表面态的相互作用必须被考虑。利用变分原理获得了斯格明子手性角的半经典描述。结果表明，刺猬型和涡旋型斯格明子均能在拓扑绝缘体表面诱导束缚态。然而，这些态的数目和性质强烈依赖于斯格明子类型以及斯格明子拓扑数。还推导了束缚电子的概率密度，显示它们局域在斯格明子区域内。
引用
@article{arxiv.1511.04237,
title = {Skyrmion-induced bound states on the surface of 3D Topological Insulators},
author = {Dimitrios Andrikopoulos and Bart Sorée and Jo De Boeck},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.04237},
year = {2016}
}