电荷转移对 HfNbTiZr 高熵合金中局域晶格畸变的影响
材料科学
2021-08-13 v2
摘要
在估算高熵合金（HEAs）的局域晶格畸变（LLD）时，常假设原子为硬球。然而，我们的研究表明，硬球模型遗漏了理解严重畸变 HEAs 稳定性中的关键效应，即具有不同电负性的原子间的电荷转移。通过对 HfNbTiZr 高熵合金局域结构的表征与模拟，我们发现电荷转移效应与 LLD 竞争，显著减小了平均原子尺寸错配。我们的发现可构成设计严重畸变但稳定的 HEAs 的基础。
引用
@article{arxiv.2102.06906,
title = {Charge-transfer effect on local lattice distortion in a HfNbTiZr high entropy alloy},
author = {Fanchao Meng and Wenyan Zhang and Zhukun Zhou and Ruixin Sheng and Andrew C. -P. Chuang and Chongchong Wu and Hailiang Huang and Xia Li and Shangzhou Zhang and Hua Zhang and Lilong Zhu and Liang Jiang and Peter K. Liaw and Shuying Chen and Yang Tong},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.06906},
year = {2021}
}