π介子与K介子结构中的电荷对称破缺效应

本文研究了与$u$和$d$夸克质量差相关的电荷对称破缺(CSB)效应在π介子和K介子的夸克分布函数与类空电磁形状因子中的表现。我们使用了一个约束版本的Nambu--Jona-Lasinio模型，其中模型红外尺度上由 dressed $u$ 和 $d$ 夸克质量比驱动的CSB效应，由于动力学手征对称破缺，该比值远比对应的流夸克质量比接近于1。π介子和K介子作为由Bethe-Salpeter方程支配的dressed夸克与dressed反夸克的束缚态给出，并展现出Goldstone玻色子的性质，其π介子质量差由动力学手征对称破缺所要求的 $m_{\pi^+}^2 - m_{\pi^0}^2 \propto (m_u - m_d)^2$ 给出。对于现实的流夸克质量比($m_u/m_d \sim 0.5$)，我们在π介子和K介子的夸克味-sector电磁形状因子中发现了显著的CSB效应。例如，在动量转移 $Q^2 \simeq 10\,$GeV$^2$ 处，$u$ 和 $d$ 夸克对 $\pi^+$ 电磁形状因子的贡献之差约为8%，而 $K^+$ 和 $K^0$ 中轻夸克sector形状因子的类似效应约为其两倍大。对于部分子分布函数，我们发现CSB效应远小于电磁形状因子中的那些。