人工分子上两个相互作用电子的电荷占据——精确结果
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
我们给出了由理想导线连接的一个和两个（单能级）量子点构成的人工原子和人工分子上两个相互作用电子的精确解。具体来说，我们计算了作为栅压函数的量子点上的累积电荷，考虑了电子-电子相互作用以及量子点与（一维）导线之间杂化的不同强度。随着（负）栅压的增加，两电子基态中的累积电荷从0逐步增加到1，然后到2。值0代表“绝缘”态，此时两个电子都束缚在杂质的浅能级态上。值1对应于“金属”态，一个电子局域在量子点上，另一个扩展到导线上。值2对应于另一种“绝缘体”态，两个电子都强局域化。“金属”态的宽度对于单量子点随电子-电子相互作用强度发散，但对于双量子点则保持非常窄。这些结果与简单的库仑阻塞图像形成对比。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0005241,
title = {Charge occupancy of two interacting electrons on artificial molecules - exact results},
author = {A. Aharony and O. Entin-Wohlman and Y. Imry and Y. Levinson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0005241},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 7 figures