磁场梯度下单自旋量子比特的电荷诱导能移位
介观与纳米尺度物理
2025-12-05 v1 量子物理
摘要
由半导体量子点 (QD) 约束的电子因周围 QD 的占据电子变化而产生库仑相互作用，可被位移。在非均匀磁场中，主机电子的位移会导致量子比特能级移位，这在高保真操作中必须谨慎处理。本文通过光谱学手段研究了相邻 QD 占据电荷变化引起的量子比特能移位，针对磁场梯度下的硅单自旋量子比特进行实验测量。在相邻双 QD 两种不同电荷配置之间，量子比特显示约 4 MHz 的能级移位， necessitating严格管理 QD 数组上的电子位置。我们通过使用后选分析法确认了量子比特频率与电荷配置之间的相关性。
引用
@article{arxiv.2411.16224,
title = {Charge-induced energy shift of a single-spin qubit under a magnetic-field gradient},
author = {Takashi Kobayashi and Akito Noiri and Takashi Nakajima and Kenta Takeda and Leon C. Camenzind and Ik Kyeong Jin and Giordano Scappucci and Seigo Tarucha},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.16224},
year = {2025}
}
备注
15 pages, 4 figures