Kitaev-Heisenberg 阶梯中的电荷波动与拓扑相位

我们通过研究它inerant 电子与其相关电荷波动在以蜂巢带状几何构成的 Hubbard 模型中的竞争，来探讨 doped Kitaev-Heisenberg 阶梯中拓扑相位稳定性。我们分析了作为等距带上 hop 幅度和相互作用强度函数的 string 序参数、自旋关联和电荷波动的演化。我们的密度矩阵正交化总称（DMRG）计算表明，电子带宽的增加会逐渐抑制拓扑相位，导致其稳定区域在相图中移动和变窄。我们识别了 hop 值临界点处 string 序消失，并刻画了磁相位与电荷波动之间的相互作用。这些发现提供了关于拓扑相位对掺杂和电荷动力学鲁棒性的见解，对于候选 Kitaev 材料和工程量子系统都具有启发意义。