超导体-绝缘体转变中的电荷激发
强关联电子
2022-12-15 v2 超导电性
摘要
我们利用无偏计算方法（即精确对角化与量子蒙特卡洛模拟）的组合，研究了在存在交错势（质量项）的吸引型蜂窝晶格 Hubbard 模型基态中的超导体-绝缘体转变（SIT）。我们探究了跨越 SIT 的最低能量电荷激发的本质，并表明它们是玻色性的，正如先前对同一模型在方格上的研究中所推断（并在强相互作用区中证明）的那样。增大交错势的强度会导致一个交叉过程，在绝缘相内玻色性低能激发让位于费米性激发。我们还表明，SIT 属于 3d-XY 普适性类，与其方格对应情形相同。我们的结果在两种晶格几何中的稳健性支持了如下预期：我们的发现对于洁净系统中的 SIT 是普适的。
引用
@article{arxiv.2208.04474,
title = {Charge excitations across a superconductor-insulator transition},
author = {Xiaodong Jin and Yuhai Liu and Rubem Mondaini and Marcos Rigol},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.04474},
year = {2022}
}
备注
10 pages, 10 figures - as published