Cu$_{5}$O$_{4}$ 簇中的电荷共轭与配对

具有高度对称性的三带 Hubbard Cu-O 簇在孔数恰好容纳 W=0 孔对时表现出特殊特性。这些是 Hubbard 相互作用势能为零的两孔本征态，经过与背景场的相互作用修饰后可形成束缚态，并导致超导流量量子化。我们通过精确对角化方法研究了 Cu$_{5}$O$_{4}$ 簇，发现在合适的填充率下可得到 $B_{2}$ 对称的束缚电子对，类似于孔对一样对流量进行量子化。本模型的配对机制为二阶交换图，近似的电荷共轭对称性在电子对和空穴对之间成立。进一步地，流量量子化要求 W=0 且具有 $d$ 对称的孔对必须存在 $s$ 称呼 counterparts，仍具有 W=0；前者源于自旋涨落，后者则源于电荷涨落机制。两种机制的共存是本模型的基本特性，也是任何采用 $d$ 配对模型所必需的特征。