有机半导体中的电荷载流子相干性与霍尔效应
材料科学
2016-01-25 v1 软凝聚态物质
摘要
霍尔效应测量对于阐明有机半导体中的基本电荷传输机制和本征迁移率十分重要。然而，霍尔效应研究经常揭示出一种无法用简单能带半导体霍尔效应模型轻易解释的非传统行为。本文中，我们发展了在能带与跳跃载流子共存状态下有机场效应晶体管中霍尔效应的解析模型。该模型得到实验支持，基于部分霍尔电压补偿效应，这是因为跳跃载流子对横向霍尔电场作出响应，并沿与作用于能带载流子的洛伦兹力相反的方向漂移。我们表明，这尤其会导致在具有显著非对角热无序的有机半导体中观察到不发达的霍尔效应。我们的模型解释了多种有机半导体中霍尔效应的主要特征，并提供了霍尔迁移率、载流子密度和载流子相干因子的解析描述。
引用
@article{arxiv.1601.05849,
title = {Charge carrier coherence and Hall effect in organic semiconductors},
author = {H. T. Yi and Y. Gartstein and V. Podzorov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.05849},
year = {2016}
}
备注
Submitted to Scientific Reports 01/13/2016