高速P-I-N光电二极管中功率-相位转换的表征
光学
2011-02-16 v1
摘要
入射到光电二极管上的光功率波动，会因半导体中的非线性饱和效应而转换为所得电信号的相位波动。这会影响由光探测脉冲序列产生的微波信号的整体定时稳定性（相位噪声）。在本文中，我们描述并利用多种技术来表征这种振幅噪声到相位噪声的转换，研究对象是工作在900 nm的多个高速（>10 GHz）InGaAs P-I-N光电二极管。我们重点关注该效应对光子产生低相位噪声10 GHz微波信号的影响，并表明，要实现10 GHz载波在1 Hz偏移处相位噪声达到或低于-100 dBc/Hz，需要结合低激光振幅噪声、适当的光电二极管设计以及最佳的平均光电流。在某些光电二极管中，我们发现在特定光电流下，功率-相位转换因子观测值为零。
引用
@article{arxiv.1102.2540,
title = {Characterization of Power-to-Phase Conversion in High-Speed P-I-N Photodiodes},
author = {J. Taylor and S. Datta and A. Hati and C. Nelson and F. Quinlan and A. Joshi and S. Diddams},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.2540},
year = {2011}
}