高频段中的振荡器相位噪声与小尺度信道衰落
信息论
2016-11-18 v2 math.IT
摘要
本文研究了高于 10GHz 频段中，振荡器相位噪声和由衰落引起的信道变化对通信系统性能的影响。文中回顾了相位噪声和信道模型，并给出了依赖于技术的无线电振荡器相位噪声质量界限。我们的研究表明，总体而言，在高频下，信道变化和相位噪声都会对系统性能产生严重影响。重要的是，它们的相对严重程度取决于应用场景以及中心频率和带宽等系统参数。当发射机与接收机之间的相对速度较高时，信道变化比相位噪声更为严重。另一方面，当中心频率增加而带宽保持不变，或使用基于低功率 CMOS 技术的振荡器（相较于基于高功率 GaN HEMT 的振荡器）时，由相位噪声引起的性能下降可能更为严重。
引用
@article{arxiv.1407.4515,
title = {Oscillator Phase Noise and Small-Scale Channel Fading in Higher Frequency Bands},
author = {M. Reza Khanzadi and Rajet Krishnan and Dan Kuylenstierna and Thomas Eriksson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.4515},
year = {2016}
}
备注
IEEE Global Telecommun. Conf. (GLOBECOM), Austin, TX, Dec. 2014