基于荧光的深紫外发光二极管发射模式表征
仪器与探测器
2020-06-24 v1 光学
摘要
LED 技术的最新进展使得高亮度深紫外 LED 得以发展,其在水净化、气体传感以及作为荧光显微镜激发源方面具有潜在应用。LED 的发射模式即发射强度的角分布,可通过数学建模或使用相机测量,尽管一般模型难以获得且多数 CMOS 和 CCD 相机在深紫外区灵敏度低。我们报道了一种基于荧光测定深紫外 LED 发射模式的方法,通过荧光将 280 nm 辐射转换为可见光,从而可被标准 CMOS 相机探测。我们发现该 LED 的发射模式与平面 LED 封装中通常得到的朗伯趋势一致,精度达 99.6。我们还展示了该技术区分不同 LED 封装类型的能力。
引用
@article{arxiv.1911.11669,
title = {Characterisation of a deep-ultraviolet light-emitting diode emission pattern via fluorescence},
author = {Mollie McFarlane and Gail McConnell},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.11669},
year = {2020}
}