用于CMOS兼容硅纳米线合成的催化剂制备
材料科学
2010-01-12 v1
摘要
金属污染曾是发现半导体纳米线的关键,但如今却阻碍了其被半导体工业采用。这是因为许多纳米线生长所需的金属催化剂与标准的CMOS(互补金属氧化物半导体)制造工艺不兼容。使用铝和铜等CMOS兼容金属进行纳米线合成所需的温度高于450°C,而这是CMOS工艺允许的最高温度。在此,我们证明使用铜基催化剂合成硅纳米线的温度受限于催化剂的制备。我们表明,通过化学方法可以在低至400°C的温度下制备出合适的催化剂。这是通过氧化催化剂前驱体实现的,这与氧会阻碍金属催化纳米线生长的普遍认知相矛盾。通过同时解决材料兼容性和温度问题,这种催化剂合成方法可能代表着半导体纳米线走向实际应用的重要一步。
引用
@article{arxiv.1001.1725,
title = {Catalyst preparation for CMOS-compatible silicon nanowire synthesis},
author = {Vincent T. Renard and M. Jublot and P. Gergaud and P. Cherns and D. Rouchon and A. Chabli and V. Jousseaume},
journal= {arXiv preprint arXiv:1001.1725},
year = {2010}
}
备注
Supplementary video can be downloaded on Nature Nanotechnology website