(Zn,Mg)Te/ZnSe 纳米线中 II 型量子点的载流子分离
介观与纳米尺度物理
2023-01-31 v1 应用物理
摘要
通过在分子束外延系统中采用气-液-固生长机制，制备了在大带隙 Zn0.9Mg0.1Te 纳米线核内轴向 Zn0.97Mg0.03Te 插入段的量子点。此外，该结构涂覆有薄 ZnSe 径向壳层，其与量子点半导体形成 II 型界面。由此产生的径向电子-空穴分离由存在 ZnSe 壳层时发生的若干明显效应所证实，包括：约 250 meV 的光学发射红移、发射强度的显著下降、激子寿命增加一个数量级以及双激子结合能的增加。电子和空穴径向分离的 II 型纳米线量子点构成了量子信息技术领域潜在应用的有前景平台。
引用
@article{arxiv.2301.12886,
title = {Carrier separation in type II quantum dots inserted in (Zn,Mg)Te/ZnSe nanowire},
author = {P Baranowski and M. Szymura and M. Wojcik and R. Georgiev and S. Chusnutdinow and G. Karczewski and T. Wojtowicz and L. T. Baczewski and P. Wojnar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2301.12886},
year = {2023}
}