Mo 掺杂单五重层 Bi2Te3 与 Sb2Te3 中的无载流子长程磁性
材料科学
2020-01-08 v1
摘要
实现量子反常霍尔效应(QAHE)的关键之一在于长程铁磁性,目前仅在 Cr 或 V 掺杂的 (Bi,Sb)2Te3 体系中实验实现。这两种元素均为 3d 过渡金属,而 4d 过渡金属在 Bi2Se3 中被发现无法产生长程铁磁性。尽管如此,能否通过 4d 元素的磁性掺杂实现长程铁磁性仍是一个开放问题。基于密度泛函理论计算,我们预测在 Mo 掺杂的半导体 Bi2Te3 和 Sb2Te3 中可实现长程铁磁性。其耦合强度与 Cr 掺杂的 Bi2Te3 和 Sb2Te3 相当。因此,Mo 掺杂的 Bi2Te3 和 Sb2Te3 或其合金可成为实现稀磁半导体与 QAHE 的新体系。
引用
@article{arxiv.1907.13282,
title = {Carrier free long-range magnetism in Mo doped one quintuple layer Bi2Te3 and Sb2Te3},
author = {Xiaodong Zhang and Junyi Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.13282},
year = {2020}
}
备注
6 figures, 1 table