PrO$_{1-a}$F$_a$BiS$_2$ 单晶的 c 轴电阻率
超导电性
2015-07-27 v1
摘要
考虑到沿 c 轴的 BiS2-PrO(F)-BiS2（超导-正常-超导）层之间的弱耦合，RO1-aFaBiS2（R 表示稀土元素）超导体中的高各向异性展示了其作为本征约瑟夫森结的潜在用途。我们使用 CsCl/KCl 助熔剂生长了 PrO1-aFaBiS2 单晶。根据有效质量模型，所生长单晶的超导各向异性估计约为 40-50。利用聚焦离子束制备的单晶 s 形本征约瑟夫森结表征了 c 轴输运性质。沿 c 轴，晶体在 2.7 K 显示零电阻，在 2.0 K 临界电流密度为 1.33*10^3 A/cm2。沿 c 轴的电流-电压曲线显示出迟滞。在平行于 ab 面的磁场下的 c 轴输运测量揭示了由于约瑟夫森涡旋流导致的 "lock-in" 态，表明 BiS2 超导体是本征约瑟夫森结的有前途候选者。
引用
@article{arxiv.1506.07231,
title = {C-axis electrical resistivity of PrO$_{1-a}$F$_a$BiS$_2$ single crystals},
author = {Masanori Nagao and Akira Miura and Satoshi Watauchi and Yoshihiko Takano and Isao Tanaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.07231},
year = {2015}
}
备注
29 pages, 10 figures