硅声子波导结构中屈曲诱导的二次非线性
介观与纳米尺度物理
2022-12-13 v1 应用物理
摘要
我们制备并表征了一种带有锆钛酸铅（PZT）压电换能器的单晶硅声子波导结构。绝缘体上硅晶圆中的压应力导致薄膜波导发生屈曲，从而产生二次非线性。以片上配置集成的 PZT 换能器使我们能够激发高强度机械振动，从而实现对非线性行为的表征。我们观察到随驱动功率变化的软化非线性响应，并展示了模式偏移与频率转换。这是关于屈曲声子波导结构中由二次非线性引起的非线性行为的首次报道。本研究提供了一种通过利用内应力来控制声子波导中非线性符号与阶数的方法，从而实现对声子集成电路中弹性波的精确操控。
引用
@article{arxiv.2112.00909,
title = {Buckling-induced quadratic nonlinearity in silicon phonon waveguide structures},
author = {Megumi Kurosu and Daiki Hatanaka and Hajime Okamoto and Hiroshi Yamaguchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.00909},
year = {2022}
}