氢化非晶硅波导中电信波长处宽带、稳定且高相干的超连续谱产生
光学
2014-10-22 v1
摘要
氢化非晶硅 (a:Si-H) 最近被确认为一种高度非线性且与 CMOS 兼容的光子平台。我们在实验中演示了在使用能量低于 5 pJ 的飞秒输入脉冲时，在 a-Si:H 光子线波导的电信波长处产生跨度超过 500 nm 的超连续谱 (SC)。基于实验表征的色散分布，对波导中脉冲传播的数值模拟表明，超连续谱是孤子裂变和色散波产生的结果。实验证明该超连续谱具有高相干性，且波导在飞秒脉冲照射下不会发生材料退化。最后，通过对 c-Si 和 a-Si:H 波导中超连续谱产生的直接比较，证实了 a-Si:H 在电信波长处进行宽带低功率超连续谱产生方面优于 c-Si。
引用
@article{arxiv.1410.5571,
title = {Broadband, stable and highly coherent supercontinuum generation at telecommunication wavelengths in an hydrogenated amorphous silicon waveguide},
author = {F. Leo and J. Safioui and B. Kuyken and G. Roelkens and S. -P. Gorza},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.5571},
year = {2014}
}