存在界面自旋轨道耦合时自旋与电荷扩散的边界条件
介观与纳米尺度物理
2019-06-12 v1
摘要
不同材料界面处反演对称性的破缺可显著增强界面附近的自旋轨道相互作用。我们通过推导扩散方程的广义边界条件，将此种界面自旋轨道耦合（ISOC）效应纳入标准漂移-扩散理论。我们的理论方案基于对称性论证，对所有因非磁性材料间宏观各向同性界面上的ISOC而发生的自旋-电荷与自旋-自旋转换效应提供了自然的分类与参数化。我们以自旋-电荷转换在杂化结构中的具体实例阐释了我们的方法。特别地，对于横向金属-绝缘体结构，我们预言了一种“ISOC门控”效应，可用于探测具有弱体SOC的金属薄膜中的自旋流。
引用
@article{arxiv.1903.12592,
title = {Boundary conditions for spin and charge diffusion in the presence of interfacial spin-orbit coupling},
author = {Juan Borge and Ilya V. Tokatly},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.12592},
year = {2019}
}