有机导体 (TMTTF)2X 中赫龙边态
软凝聚态物质
2013-05-29 v2
摘要
使用将电荷和自旋自由度分离的 boson化技术，我们研究了在电荷子能隙中形成赫龙边态的可能性。结果应用于准一维有机导体 (TMTTF)2X。讨论了键偶和位点偶化在该材料中的不同作用。我们预测，在最近发现的铁电相变温度以下，应该出现赫龙边态，其中无机阴离子 X 位移至不对称位置。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0106515,
title = {Bose-Fermi variational theory of the BEC-Tonks crossover},
author = {M. D. Girardeau and E. M. Wright},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0106515},
year = {2013}
}
备注
4 pages RevTeX including 2 figures, uses epsfig. Submitted to Phys. Rev. Lett