拓扑绝缘体磁化表面态中强无序的玻恩近似研究
介观与纳米尺度物理
2023-06-07 v1 无序系统与神经网络
摘要
本研究探讨了随机点无序对具有面外磁化的拓扑绝缘体表面态的影响。我们在高阶玻恩近似下考虑该无序。在低无序时,玻恩级数收敛到自洽玻恩近似(SCBA)解的一个分支。随着无序强度增加,玻恩级数收敛到另一 SCBA 解,该解在磁化诱导的能隙内具有有限态密度。无序强度的进一步增加导致玻恩级数发散,显示了玻恩近似适用性的局限。我们发现该玻恩级数的收敛性质与逻辑映射的性质密切相关,而逻辑映射是已知的混沌原型模型。我们还利用 Kubo 公式在零温下计算了纵向和霍尔电导率并包含速度算符的顶角修正。顶角修正对于描述强无序 regime 下的输运性质十分重要。在强无序情形下,纵向电导率对无序强度弱依赖,而霍尔电导率随无序增加而下降。
引用
@article{arxiv.2301.09925,
title = {Born approximation study of the strong disorder in magnetized surface states of topological insulator},
author = {R. S. Akzyanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2301.09925},
year = {2023}
}
备注
9 pages, 7 figures