基于 ZnO 的蓝色光电子二极管
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
从 ZnO p-i-n 异质结二极管中观察到近带边蓝色电荷发光 (EL) 带，中心约在440 nm，通过在 p 型 ZnO 顶层上 deposition 半透明电极实现。EL 峰能与等效 p 型 ZnO 层的光致发光峰能相吻合，表明电子从 n 型层注入到 p 型层支配电流，导致 p 型层中的发射重组。电荷注入的不平衡考虑为来自 p 型层中majority载流子浓度较低所致，其浓度比 n 型层低一个或两个数量级。电压-电流特性显示存在数百欧的串联电阻，对应于底部 n 型 ZnO 中的电流扩散电阻。采用导电 ZnO 基底可解决后者问题。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0504587,
title = {Blue light-emitting diode based on ZnO},
author = {Atsushi Tsukazaki and Masashi Kubota and Akira Ohtomo and Takeyoshi Onuma and Keita Ohtani and Hideo Ohno and Shigefusa F. Chichibu and Masashi Kawasaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0504587},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 4 figures. Jpn. J. Appl. Phys. in press