多晶硅熔丝的熔断
介观与纳米尺度物理
2011-03-23 v1
摘要
多晶硅熔丝是一次性可编程存储元件，允许在晶圆和封装层级对集成电路进行校准。我们提出了一个关于钨硅化物与多晶硅组合制成的熔丝编程的零维集总参数模型。该模型的组成部分包括电学模型、热学模型和流动模型。电学模型描述了熔丝依赖于温度和几何形状的电阻。热学模型描述了熔丝及其周围环境的加热与熔化。流动模型描述了由电迁移驱动的二氧化硅流动导致的熔丝断开。该模型生成了定量准确的结果，并复现了随外加电压和熔丝尺寸变化的趋势。
引用
@article{arxiv.1103.4303,
title = {Blowing of polysilicon fuses},
author = {W. T. Lee and A. C. Fowler and O. Power and S. Healy and J. Browne},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.4303},
year = {2011}
}
备注
3 pages, 4 figures, 1 table