石墨烯与拓扑绝缘体中的布洛赫-泽纳振荡
介观与纳米尺度物理
2012-03-26 v2
摘要
我们证明，基于零带隙半导体（如石墨烯和碲化汞）的超晶格会表现出特征性的布洛赫-泽纳振荡，这种振荡源于布洛赫振荡与电子和空穴支之间多重泽纳隧穿的相干叠加。我们通过在外加偏压场作用下各种空间周期性调制纳米带中的波包动力学来展示这一机制。相关的布洛赫频率表现出奇特的周期性偏压依赖关系，我们在双带模型框架内对此进行了解释。在大量数值输运计算的支持下，我们表明该效应会在石墨烯和碲化汞超晶格的I-V特性中产生可观测的明显电流振荡。
引用
@article{arxiv.1109.5541,
title = {Bloch-Zener Oscillations in Graphene and Topological Insulators},
author = {Viktor Krueckl and Klaus Richter},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.5541},
year = {2012}
}