圆柱上的黑洞

我们朝着构造描述具有横向圆的非极端带电膨胀膜（来自弦/M 理论）的显式解迈出了步伐。使用新的坐标系统，我们找到了仅含一个未知函数的解的 ansatz。我们证明了该函数与电荷无关，因此我们的 ansatz 也可用于构造圆柱上的中性黑洞以及具有横向圆的近极端带电膨胀膜。对于足够大的质量 $M > M_c$，这些解具有跨越圆柱的视界，但沿圆方向不是平移不变的。我们认为，对于任何给定质量，中性解比中性黑弦具有更大的熵。这意味着对于 $M > M_c$，中性黑弦可以通过将其质量重新分布到沿圆方向破坏平移不变的解来增加熵，尽管它在经典上是稳定的。我们还解释了我们的构造如何用于研究小弦理论的 thermodynamics。