黑洞记忆效应

零无穷 $\mathcal{I}^+$ 处的记忆效应可定义为由一束引力波通过所引起的检验粒子（在 $1/r$ 的首阶）的永久相对位移。在 $D=4$ 时空维度中，记忆效应可由在早期与晚期推迟时间静止时期中 $\mathcal{I}^+$ 的“好割”所关联的超平移来刻画。它也可通过关联于超平移的电荷与通量来刻画。黑洞事件视界在许多方面类似于 $\mathcal{I}^+$。我们在此考虑黑洞记忆的类似定义，假设黑洞在早期与晚期超前时间近似静止，从而其事件视界在早期与晚期由 Killing 视界（假设为非极端）描述。我们给出定义非极端 Killing 视界优选叶状结构的方法。我们依据事件视界零测地线生成元在早期与晚期静止时期之间的“永久相对位移”给出黑洞记忆张量的定义。我们证明早期与晚期时代事件视界的优选叶状结构由 Chandrasekaran-Flanagan-Prabhu (CFP) 超平移相关联。然而，我们发现黑洞视界的记忆张量似乎并未以类似于 $\mathcal{I}^+$ 处发生的方式与 CFP 对称性或其电荷和通量相关联。