具有倾斜 Dirac 锥的二维材料中的双极电子波导

我们证明，包含倾斜项的 (2+1) 维无质量 Dirac 方程可以针对大范围的标量限制势（包括著名的 Morse 势）化为双合 Heun 方程。应用这些解，我们研究了 8-$Pmmn$ 硼烯中的双极电子波导，该波导由势阱和势垒形成，两者均由 Morse 势描述。我们证明，具有倾斜 Dirac 锥的二维材料在势垒和势阱中局域电子的能力可以用于在其电子能谱中产生赝能隙。这些赝能隙可以通过改变施加的顶栅电压来调节。讨论了潜在的光谷电子学和太赫兹应用。